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IRF7769L1TRPBF备选型号: STH150N10F7-2
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 系列
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET12 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric L815SILICON20A Ta 124A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)9EAR99BOTTOMR-XBCC-N3Single增强型MOSFET3.3WDRAIN44 nsN-ChannelSWITCHING3.5m Ω @ 74A, 10V4V @ 250μA11560pF @ 25V300nC @ 10V32ns100V±20V41 ns124A20V375A0.0035Ohm500A260 mJ无ROHS3 Compliant无铅------------
MOSFET POWER MOSFET37 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-110A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)-活跃1 (Unlimited)-EAR99------33 nsN-Channel-3.9m Ω @ 55A, 10V4.5V @ 250μA8115pF @ 50V117nC @ 10V57ns-±20V33 ns110A20V-----ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)3.949996gDeepGATE™, STripFET™ VII未说明未说明STH1501Single100V4.8mm10.4mm10.57mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB027N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| STH150N10F7-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |
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