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首页 全部分类 IRF7780MTRPBF vs FDD86367-F085

IRF7780MTRPBF备选型号: FDD86367-F085

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRF7780MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 89A
    12 Weeks
    DirectFET™ Isometric ME
    表面贴装
    表面贴装
    96W Tc
    3.7V @ 150μA
    Tape & Reel (TR)
    StrongIRFET™
    -55°C~150°C TJ
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    N-Channel
    5.7m Ω @ 53A, 10V
    6504pF @ 25V
    186nC @ 10V
    75V
    ±20V
    89A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD86367-F085
    ON Semiconductor
    PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80V, 100A, 4.2 mO,
    47 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    100A Tc
    4V @ 250μA
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    -55°C~175°C TJ
    -
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    -
    260
    未说明
    N-Channel
    4.2m Ω @ 80A, 10V
    4840pF @ 40V
    88nC @ 10V
    -
    ±20V
    100A
    ROHS3 Compliant
    -
    260.37mg
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    1
    Single
    227W
    20 ns
    20V
    80V
    175°C
    2.517mm
    not_compliant
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