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IRF7780MTRPBF备选型号: FDD86367-F085
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
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- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
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- 生命周期状态
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
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- 元素配置
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- 接通延迟时间
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
MOSFET N-CH 75V 89A12 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric ME89A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)StrongIRFET™2013活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明N-Channel5.7m Ω @ 53A, 10V3.7V @ 150μA6504pF @ 25V186nC @ 10V75V±20V89AROHS3 Compliant无铅--------------
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80V, 100A, 4.2 mO,47 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6310V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®-活跃1 (Unlimited)-260未说明N-Channel4.2m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA4840pF @ 40V88nC @ 10V-±20V100AROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)260.37mge3yesTin (Sn)not_compliant1Single227W20 ns20V80V175°C2.517mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD048N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R | 对比 |
| FDD86367-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80V, 100A, 4.2 mO, | 对比 |
 | IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | 对比 |
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