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IRF7780MTRPBF备选型号: IRFS7540TRLPBF
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
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- RoHS状态
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- 质量
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 终端形式
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
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- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 75V 89A12 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric ME89A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)StrongIRFET™2013活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明N-Channel5.7m Ω @ 53A, 10V3.7V @ 150μA6504pF @ 25V186nC @ 10V75V±20V89AROHS3 Compliant无铅----------------------
MOSFET N CH 60V 110A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB110A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™2013活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明N-Channel5.1m Ω @ 65A, 10V3.7V @ 100μA4555pF @ 25V130nC @ 10V60V±20V110AROHS3 Compliant无铅33.949996gSILICON2鸥翼R-PSSO-G21Single增强型MOSFET160WDRAIN12 nsSWITCHING76ns56 ns3.7V20V60V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD048N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R | 对比 |
 | FDD86367-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80V, 100A, 4.2 mO, | 对比 |
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | 对比 |
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