IRF7807VTRPBF备选型号: IRF7416GTRPBF
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- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
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- 配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC10 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)88.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2003不用于新设计1 (Unlimited)EAR9925MOhm30V8.3ASingle2.5W6.3 nsN-Channel25m Ω @ 7A, 4.5V3V @ 250μA14nC @ 5V1.2ns±20V2.2 ns8.3A20V30V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无ROHS3 Compliant无铅---------
- MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)810A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2011Obsolete1 (Unlimited)-----2.5W18 nsP-Channel20mOhm @ 5.6A, 10V1V @ 250μA92nC @ 10V49ns±20V60 ns10A20V-30V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无符合RoHS标准-8-SO150°C-55°CSingle1700pF @ 25V30V1.7nF20mOhm20 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7416GTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC | 对比 |
![]() | IRF7807VPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC | 对比 |
![]() | STS10DN3LH5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC | 对比 |




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