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IRF7807VTRPBF备选型号: IRF7807VPBF

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  • 宽度
  • 辐射硬化
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  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 终端
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 行间距
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRF7807VTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2003
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    25MOhm
    30V
    8.3A
    Single
    2.5W
    6.3 ns
    N-Channel
    25m Ω @ 7A, 4.5V
    3V @ 250μA
    14nC @ 5V
    1.2ns
    ±20V
    2.2 ns
    8.3A
    20V
    30V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7807VPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    30V
    8.3A
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    2.5W
    6.3 ns
    N-Channel
    25m Ω @ 7A, 4.5V
    3V @ 250μA
    14nC @ 5V
    1.2ns
    ±20V
    2.2 ns
    8.3A
    20V
    30V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    8
    SMD/SMT
    DUAL
    鸥翼
    6.3 mm
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    0.025Ohm
    30V
    3 V
    无SVHC
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