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IRF8513PBF备选型号: FDS6294

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  • 输入电容
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  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
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  • 生命周期状态
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 晶体管应用
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IRF8513PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SO
    8A 11A
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    15.5MOhm
    175°C
    -55°C
    2.4W
    IRF8513PBF
    Dual
    2.4W
    1.5W 2.4W
    2 N-Channel (Dual)
    15.5mOhm @ 8A, 10V
    2.35V @ 25μA
    766pF @ 15V
    8.6nC @ 4.5V
    30V
    8A
    1.8V
    20V
    30V
    30V
    766pF
    23 ns
    逻辑电平门
    22.2mOhm
    15.5 mΩ
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6294
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    11.3MOhm
    -
    -
    -
    -
    Single
    3W
    -
    N-Channel
    11.3m Ω @ 13A, 10V
    3V @ 250μA
    1205pF @ 15V
    14nC @ 5V
    -
    13A
    1.8V
    20V
    30V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    1.8 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    18 Weeks
    130mg
    SILICON
    PowerTrench®
    e3
    yes
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    30V
    DUAL
    鸥翼
    13A
    增强型MOSFET
    9 ns
    SWITCHING
    4ns
    ±20V
    6 ns
    50A
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