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首页 全部分类 IRF8513PBF vs IRF8707GTRPBF

IRF8513PBF备选型号: IRF8707GTRPBF

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  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
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  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
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  • 无铅
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  • 操作模式
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • Infineon Technologies
    IRF8513PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SO
    8A 11A
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    15.5MOhm
    175°C
    -55°C
    2.4W
    IRF8513PBF
    Dual
    2.4W
    1.5W 2.4W
    2 N-Channel (Dual)
    15.5mOhm @ 8A, 10V
    2.35V @ 25μA
    766pF @ 15V
    8.6nC @ 4.5V
    30V
    8A
    1.8V
    20V
    30V
    30V
    766pF
    23 ns
    逻辑电平门
    22.2mOhm
    15.5 mΩ
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8707GTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    2.5W
    -
    N-Channel
    11.9m Ω @ 11A, 10V
    2.35V @ 25μA
    760pF @ 15V
    9.3nC @ 4.5V
    -
    11A
    1.8V
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    10 Weeks
    HEXFET®
    EAR99
    增强型MOSFET
    6.7 ns
    7.9ns
    ±20V
    4.4 ns
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