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首页 全部分类 IRFH4257DTRPBF vs BSC0911NDATMA1

IRFH4257DTRPBF备选型号: BSC0911NDATMA1

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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRFH4257DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    20 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2014
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    28W
    未说明
    未说明
    2
    Dual
    12 ns
    25W 28W
    2 N-Channel (Dual)
    3.4m Ω @ 25A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1321pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    51ns
    25V
    25 ns
    25A
    20V
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC0911NDATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET LV POWER MOS
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    OptiMOS™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1W
    -
    -
    -
    Dual
    -
    -
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    3.2m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1600pF @ 12V
    12nC @ 4.5V
    5.4ns
    -
    4 ns
    30A
    20V
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    无铅
    18 Weeks
    Tin
    SILICON
    e3
    no
    6
    R-PDSO-N6
    增强型MOSFET
    2.5W
    排水源头
    25V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    无
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