Infineon Technologies IRFH4257DTRPBF
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IRFH4257DTRPBF
1211-IRFH4257DTRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerVDFN
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MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN
--最小包装量--
IRFH4257DTRPBF详情
Infineon Technologies IRFH4257DTRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2014
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
28W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
2
元素配置
Dual
接通延迟时间
12 ns
功率 - 最大
25W 28W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.4m Ω @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 35μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1321pF @ 13V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 4.5V
上升时间
51ns
漏源电压 (Vdss)
25V
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
25A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRFH4257DTRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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