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首页 全部分类 IRFH4257DTRPBF vs IRFHM4231TRPBF

IRFH4257DTRPBF备选型号: IRFHM4231TRPBF

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  • 场效应管特性
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  • 无铅
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  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRFH4257DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    20 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2014
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    28W
    未说明
    未说明
    2
    Dual
    12 ns
    25W 28W
    2 N-Channel (Dual)
    3.4m Ω @ 25A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1321pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    51ns
    25V
    25 ns
    25A
    20V
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM4231TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 40A PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    Single
    8.7 ns
    -
    N-Channel
    3.4m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1270pF @ 13V
    20nC @ 10V
    28ns
    25V
    5.9 ns
    22A
    20V
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    13 Weeks
    Tin
    SILICON
    5
    DUAL
    IRFHM4231
    S-PDSO-N5
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    1.6V
    0.0046Ohm
    25V
    42 mJ
    900μm
    3.3mm
    5mm
    无SVHC
    无
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