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首页 全部分类 IRFH5053TR2PBF vs IRF6668TRPBF

IRFH5053TR2PBF备选型号: IRF6668TRPBF

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  • 输入电容
  • 漏源电阻
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  • 宽度
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  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRFH5053TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    PQFN (5x6) Single Die
    9.3A Ta 46A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    3.1W
    Single
    3.1W
    8.6 ns
    N-Channel
    18mOhm @ 9.3A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1510pF @ 50V
    36nC @ 10V
    7.5ns
    100V
    4.1 ns
    9.3A
    20V
    100V
    1.51nF
    18mOhm
    18 mΩ
    939.8μm
    5.9944mm
    5mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6668TRPBF
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFE
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MZ
    3
    -
    55A Tc
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    89W
    19 ns
    N-Channel
    15m Ω @ 12A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1320pF @ 25V
    31nC @ 10V
    13ns
    -
    23 ns
    55mA
    20V
    80V
    -
    -
    -
    533.4μm
    6.35mm
    5.0546mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    -40°C~150°C TJ
    e1
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    80V
    BOTTOM
    55A
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    4V
    0.015Ohm
    170A
    24 mJ
    无SVHC
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