Infineon Technologies IRFH5053TR2PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

供应商器件包装

PQFN (5x6) Single Die

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.3A Ta 46A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.9V @ 100μA

Turn Off Delay Time

18 ns

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2008

系列

HEXFET®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

3.1W

元素配置

Single

功率耗散

3.1W

接通延迟时间

8.6 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

18mOhm @ 9.3A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1510pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 10V

上升时间

7.5ns

漏源电压 (Vdss)

100V

下降时间（典型值）

4.1 ns

连续放电电流(ID)

9.3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

输入电容

1.51nF

漏源电阻

18mOhm

最大rds

18 mΩ

长度

5.9944mm

高度

939.8μm

宽度

5mm

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

无铅

无铅