Infineon Technologies IRFH5053TR2PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

供应商器件包装

PQFN (5x6) Single Die

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.3A Ta 46A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

18 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

3.1W

元素配置

Single

功率耗散

3.1W

接通延迟时间

8.6 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

18mOhm @ 9.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.9V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1510pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 10V

上升时间

7.5ns

漏源电压 (Vdss)

100V

下降时间（典型值）

4.1 ns

连续放电电流(ID)

9.3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

输入电容

1.51nF

漏源电阻

18mOhm

最大rds

18 mΩ

高度

939.8μm

长度

5.9944mm

宽度

5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅