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首页 全部分类 IRFH5053TR2PBF vs NTMFS6B14NT1G

IRFH5053TR2PBF备选型号: NTMFS6B14NT1G

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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
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  • 阈值电压
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  • Infineon Technologies
    IRFH5053TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    PQFN (5x6) Single Die
    9.3A Ta 46A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    3.1W
    Single
    3.1W
    8.6 ns
    N-Channel
    18mOhm @ 9.3A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1510pF @ 50V
    36nC @ 10V
    7.5ns
    100V
    4.1 ns
    9.3A
    20V
    100V
    1.51nF
    18mOhm
    18 mΩ
    939.8μm
    5.9944mm
    5mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS6B14NT1G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NTMFS6B14NT1G MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 100 V, 0.0122 ohm, 10 V, 4 V
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    5
    -
    10A Ta 50A Tc
    Tape & Reel (TR)
    -
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    -
    9.6 ns
    N-Channel
    15m Ω @ 20A, 10V
    4V @ 250μA
    1300pF @ 50V
    20nC @ 10V
    39ns
    -
    6.8 ns
    50A
    20V
    100V
    -
    -
    -
    1.05mm
    6.1mm
    5.1mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    not_compliant
    1
    ±20V
    4V
    无SVHC
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