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首页 全部分类 IRFH5053TR2PBF vs IRFH7110TRPBF

IRFH5053TR2PBF备选型号: IRFH7110TRPBF

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  • 晶体管元件材料
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRFH5053TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    PQFN (5x6) Single Die
    9.3A Ta 46A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    3.1W
    Single
    3.1W
    8.6 ns
    N-Channel
    18mOhm @ 9.3A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1510pF @ 50V
    36nC @ 10V
    7.5ns
    100V
    4.1 ns
    9.3A
    20V
    100V
    1.51nF
    18mOhm
    18 mΩ
    939.8μm
    5.9944mm
    5mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH7110TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 100V 11A PQFN 5X6
    表面贴装
    表面贴装
    8-TQFN Exposed Pad
    8
    -
    11A Ta 58A Tc
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    3.6W
    11 ns
    N-Channel
    13.5m Ω @ 35A, 10V
    4V @ 100μA
    3240pF @ 25V
    87nC @ 10V
    23ns
    100V
    18 ns
    11A
    20V
    -
    -
    -
    -
    1.17mm
    5.85mm
    5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    15 Weeks
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    3V
    50A
    240A
    3 V
    无SVHC
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