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首页 全部分类 IRFH5302TRPBF vs IPD031N03LGATMA1

IRFH5302TRPBF备选型号: IPD031N03LGATMA1

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  • 宽度
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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 引脚数量
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFH5302TRPBF
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    32A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    2.1MOhm
    DUAL
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    100W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.1m Ω @ 50A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4400pF @ 15V
    76nC @ 10V
    51ns
    ±20V
    18 ns
    32A
    20V
    30V
    400A
    1.8 V
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD031N03LGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    SINGLE
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    94W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.1m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    5300pF @ 15V
    51nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    5 ns
    90A
    20V
    -
    400A
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    e3
    no
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    鸥翼
    4
    无卤素
    30V
    0.004Ohm
    60 mJ
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