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首页 全部分类 IRFH5302TRPBF vs IPD031N03LGBTMA1

IRFH5302TRPBF备选型号: IPD031N03LGBTMA1

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  • 栅源电压
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IRFH5302TRPBF
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    32A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    2.1MOhm
    DUAL
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    100W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.1m Ω @ 50A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4400pF @ 15V
    76nC @ 10V
    51ns
    ±20V
    18 ns
    32A
    20V
    30V
    400A
    1.8 V
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD031N03LGBTMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    90A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    94W
    -
    9 ns
    N-Channel
    -
    3.1mOhm @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    5300pF @ 15V
    51nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    5 ns
    90A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    PG-TO252-3
    175°C
    -55°C
    30V
    5.3nF
    3.1mOhm
    3.1 mΩ
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