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首页 全部分类 IRFH5303TRPBF vs IRFH5301TRPBF

IRFH5303TRPBF备选型号: IRFH5301TRPBF

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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 供应商器件包装
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRFH5303TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 82A 8-PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    23A Ta 82A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.2m Ω @ 49A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2190pF @ 15V
    41nC @ 10V
    31ns
    ±20V
    6.1 ns
    23A
    20V
    30V
    330A
    46 mJ
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5301TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    35A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    110W
    -
    21 ns
    N-Channel
    -
    1.85mOhm @ 50A, 10V
    2.35V @ 100μA
    5114pF @ 15V
    77nC @ 10V
    78ns
    ±20V
    23 ns
    100A
    20V
    30V
    -
    -
    850μm
    6mm
    5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    PQFN (5x6) Single Die
    1.85MOhm
    150°C
    -55°C
    30V
    1.8V
    5.114nF
    1.55mOhm
    1.85 mΩ
    1.8 V
    无SVHC
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