IRFH5303TRPBF备选型号: IRFH8321TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- MOSFET N-CH 30V 82A 8-PQFN表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON23A Ta 82A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010Obsolete1 (Unlimited)5EAR99HIGH RELIABILITYDUALR-PDSO-N5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET3.6WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING4.2m Ω @ 49A, 10V2.35V @ 50μA2190pF @ 15V41nC @ 10V31ns±20V6.1 ns23A20V30V330A46 mJ838.2μm5.9944mm5mm无符合RoHS标准无铅-----
- MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6表面贴装表面贴装8-TQFN Exposed Pad8-21A Ta 83A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2012Obsolete1 (Unlimited)-EAR99-----3.4W-14 nsN-Channel-4.9m Ω @ 20A, 10V2V @ 50μA2600pF @ 10V59nC @ 10V20ns±20V6.8 ns21A20V30V------ROHS3 Compliant无铅16 Weeks未说明未说明1Single
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew | 对比 |
![]() | IRFH8321TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-TQFN Exposed Pad | MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6 | 对比 |
![]() | IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 40A PQFN | 对比 |





哦! 它是空的。