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首页 全部分类 IRFH5303TRPBF vs IRFH8316TRPBF

IRFH5303TRPBF备选型号: IRFH8316TRPBF

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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    IRFH5303TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 82A 8-PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    23A Ta 82A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.2m Ω @ 49A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2190pF @ 15V
    41nC @ 10V
    31ns
    ±20V
    6.1 ns
    23A
    20V
    30V
    330A
    46 mJ
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8316TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    27A Ta 50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    3.6W
    -
    19 ns
    N-Channel
    -
    2.95m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 50μA
    3610pF @ 10V
    59nC @ 10V
    67ns
    ±20V
    24 ns
    27A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    17 Weeks
    未说明
    未说明
    1
    Single
    50A
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