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首页 全部分类 IRFH7085TRPBF vs IRFH5006TRPBF

IRFH7085TRPBF备选型号: IRFH5006TRPBF

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  • 通道数量
  • 元素配置
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 配置
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRFH7085TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 23A 6-PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    StrongIRFET™
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    R-PDSO-N5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    156W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.2m Ω @ 75A, 10V
    3.7V @ 150μA
    6460pF @ 25V
    165nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    23 ns
    23A
    3.7V
    20V
    0.0032Ohm
    60V
    590A
    554 mJ
    150°C
    950μm
    6.15mm
    5.15mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5006TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFH5006TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 VNew
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    21A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    -
    260
    40
    R-PDSO-N5
    -
    -
    增强型MOSFET
    156W
    DRAIN
    9.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.1m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 150μA
    4175pF @ 30V
    100nC @ 10V
    13ns
    ±20V
    12 ns
    100A
    2V
    20V
    -
    60V
    400A
    -
    -
    990.6μm
    6.1468mm
    5.15mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    4.1MOhm
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    2 V
    无
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