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首页 全部分类 IRFH7085TRPBF vs IRFH8318TRPBF

IRFH7085TRPBF备选型号: IRFH8318TRPBF

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  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRFH7085TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 23A 6-PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    StrongIRFET™
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    R-PDSO-N5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    156W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.2m Ω @ 75A, 10V
    3.7V @ 150μA
    6460pF @ 25V
    165nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    23 ns
    23A
    3.7V
    20V
    0.0032Ohm
    60V
    590A
    554 mJ
    150°C
    950μm
    6.15mm
    5.15mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8318TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    27A Ta 120A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    R-PDSO-F5
    -
    -
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.1m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    3180pF @ 10V
    41nC @ 10V
    33ns
    ±20V
    12 ns
    27A
    -
    20V
    -
    30V
    400A
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    50A
    1.8 V
    无
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