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IRFH7185TRPBF备选型号: AUIRF7647S2TR
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- 包装/外壳
- 安装类型
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- 晶体管元件材料
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- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 配置
- 极性/通道类型
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
MOSFET N CH 100V 19A 8QFN16 Weeks8-PowerTDFN表面贴装表面贴装8SILICON14 ns2008FASTIRFET™, HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJObsolete1 (Unlimited)5EAR99DUALIRFH7185R-PDSO-N51Single增强型MOSFET3.6WDRAIN6.5 nsN-ChannelSWITCHING5.2m Ω @ 50A, 10V3.6V @ 150μA2320pF @ 50V54nC @ 10V9.9ns±20V3.9 ns19A3.6V20V0.0052Ohm100V260A360 mJ150°C5.15mm6.15mm950μm符合RoHS标准无无SVHC无铅-----
MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET16 WeeksDirectFET™ Isometric SC表面贴装表面贴装7SILICON5.9A Ta 24A Tc2011HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)3EAR99BOTTOM-R-XBCC-N3--增强型MOSFET41WDRAIN5.5 nsN-ChannelAMPLIFIER31m Ω @ 14A, 10V5V @ 50μA910pF @ 25V21nC @ 10V8.4ns±20V4.6 ns5.9A4V20V0.031Ohm100V95A-----ROHS3 Compliant无无SVHC无铅e3Matte Tin (Sn)SINGLE WITH BUILT-IN DIODEP-CHANNEL24A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDMC86102 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 100V 8-MLP | 对比 |
| AUIRF7647S2TR | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric SC | MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET | 对比 |
 | STD15NF10T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R | 对比 |
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