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首页 全部分类 IRFH7185TRPBF vs FDMC86102

IRFH7185TRPBF备选型号: FDMC86102

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 栅源电压
  • Infineon Technologies
    IRFH7185TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
    16 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    14 ns
    2008
    FASTIRFET™, HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    IRFH7185
    R-PDSO-N5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    6.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.2m Ω @ 50A, 10V
    3.6V @ 150μA
    2320pF @ 50V
    54nC @ 10V
    9.9ns
    ±20V
    3.9 ns
    19A
    3.6V
    20V
    0.0052Ohm
    100V
    260A
    360 mJ
    150°C
    5.15mm
    6.15mm
    950μm
    符合RoHS标准
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMC86102
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 8-MLP
    40 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    7A Ta 20A Tc
    -
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    -
    S-PDSO-N5
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.3W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 7A, 10V
    4V @ 250μA
    965pF @ 50V
    18nC @ 10V
    4ns
    ±20V
    4 ns
    20A
    3.1V
    20V
    -
    100V
    30A
    72 mJ
    -
    3.4mm
    3.4mm
    950μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    32.13mg
    e4
    yes
    24MOhm
    Nickel/Palladium (Ni/Pd)
    MO-240BA
    7A
    3.1 V
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