Infineon Technologies IRFH7185TRPBF

工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

8-PowerTDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

14 ns

Power Dissipation (Max)

3.6W Ta 160W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A Ta

已出版

2008

系列

FASTIRFET™, HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

基本部件号

IRFH7185

JESD-30代码

R-PDSO-N5

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.6W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.2m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.6V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2320pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

54nC @ 10V

上升时间

9.9ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3.9 ns

连续放电电流(ID)

19A

阈值电压

3.6V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0052Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

260A

雪崩能量等级（Eas）

360 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

宽度

5.15mm

长度

6.15mm

高度

950μm

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅