IRFH7185TRPBF备选型号: STD15NF10T4
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 系列
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 制造商包装标识符
- JESD-609代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- MOSFET N CH 100V 19A 8QFN16 Weeks8-PowerTDFN表面贴装表面贴装8SILICON14 ns2008FASTIRFET™, HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJObsolete1 (Unlimited)5EAR99DUALIRFH7185R-PDSO-N51Single增强型MOSFET3.6WDRAIN6.5 nsN-ChannelSWITCHING5.2m Ω @ 50A, 10V3.6V @ 150μA2320pF @ 50V54nC @ 10V9.9ns±20V3.9 ns19A3.6V20V0.0052Ohm100V260A360 mJ150°C5.15mm6.15mm950μm符合RoHS标准无无SVHC无铅------------
- Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R-TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装3SILICON23A Tc-STripFET™ IITape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)2EAR99-STD15R-PSSO-G21Single增强型MOSFET70WDRAIN60 nsN-ChannelSWITCHING65m Ω @ 12A, 10V4V @ 250μA870pF @ 25V40nC @ 10V45ns±20V17 ns23A3V20V-100V60A75 mJ175°C6.2mm6.6mm2.4mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)4.535924gDPAK_0068772e365mOhmMatte Tin (Sn) - annealed100V鸥翼26023A303
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMC86102 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 100V 8-MLP | 对比 | |
![]() | AUIRF7647S2TR | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric SC | MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET | 对比 |
![]() | STD15NF10T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R | 对比 |





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