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IRFH7185TRPBF备选型号: IRF9540NSTRLPBF
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
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- 晶体管元件材料
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- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 终端
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 电压
- 电流
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
MOSFET N CH 100V 19A 8QFN16 Weeks8-PowerTDFN表面贴装表面贴装8SILICON14 ns2008FASTIRFET™, HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJObsolete1 (Unlimited)5EAR99DUALIRFH7185R-PDSO-N51Single增强型MOSFET3.6WDRAIN6.5 nsN-ChannelSWITCHING5.2m Ω @ 50A, 10V3.6V @ 150μA2320pF @ 50V54nC @ 10V9.9ns±20V3.9 ns19A3.6V20V0.0052Ohm100V260A360 mJ150°C5.15mm6.15mm950μm符合RoHS标准无无SVHC无铅---------------
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK12 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON23A Tc2003HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)2EAR99--R-PSSO-G21Single增强型MOSFET3.8WDRAIN13 nsP-ChannelSWITCHING117m Ω @ 14A, 10V4V @ 250μA1450pF @ 25V110nC @ 10V67ns±20V51 ns-23A-4V20V--100V-84 mJ150°C9.65mm10.668mm5.084mmROHS3 Compliant无无SVHC含铅Tine3SMD/SMT117mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY-100V鸥翼260-23A30100V23A100V210 ns-4 V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDMC86102 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 100V 8-MLP | 对比 |
 | AUIRF7647S2TR | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric SC | MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET | 对比 |
 | STD15NF10T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R | 对比 |
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