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首页 全部分类 IRFH8321TRPBF vs IRFH5301TRPBF

IRFH8321TRPBF备选型号: IRFH5301TRPBF

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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRFH8321TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TQFN Exposed Pad
    8
    21A Ta 83A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    1
    Single
    3.4W
    14 ns
    N-Channel
    4.9m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 50μA
    2600pF @ 10V
    59nC @ 10V
    20ns
    ±20V
    6.8 ns
    21A
    20V
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5301TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    35A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    110W
    21 ns
    N-Channel
    1.85mOhm @ 50A, 10V
    2.35V @ 100μA
    5114pF @ 15V
    77nC @ 10V
    78ns
    ±20V
    23 ns
    100A
    20V
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PQFN (5x6) Single Die
    1.85MOhm
    150°C
    -55°C
    30V
    1.8V
    5.114nF
    1.55mOhm
    1.85 mΩ
    1.8 V
    850μm
    6mm
    5mm
    无SVHC
    无
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