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首页 全部分类 IRFH8321TRPBF vs IRFH5303TRPBF

IRFH8321TRPBF备选型号: IRFH5303TRPBF

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  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRFH8321TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TQFN Exposed Pad
    8
    21A Ta 83A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    1
    Single
    3.4W
    14 ns
    N-Channel
    4.9m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 50μA
    2600pF @ 10V
    59nC @ 10V
    20ns
    ±20V
    6.8 ns
    21A
    20V
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5303TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 82A 8-PQFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    23A Ta 82A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    3.6W
    11 ns
    N-Channel
    4.2m Ω @ 49A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2190pF @ 15V
    41nC @ 10V
    31ns
    ±20V
    6.1 ns
    23A
    20V
    30V
    符合RoHS标准
    无铅
    SILICON
    5
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    330A
    46 mJ
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无
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