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首页 全部分类 IRFHE4250DTRPBF vs FDMS86252

IRFHE4250DTRPBF备选型号: FDMS86252

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
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  • 宽度
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  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRFHE4250DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    32-PowerWFQFN
    30
    86A 303A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    FASTIRFET™
    2004
    Obsolete
    2 (1 Year)
    EAR99
    156W
    IRFHE4250
    Dual
    156W
    17 ns
    2 N-Channel (Dual)
    2.75m Ω @ 27A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1735pF @ 13V
    20nC @ 4.5V
    54ns
    25V
    16 ns
    303A
    1.6V
    16V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    900μm
    6mm
    5mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS86252
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 150V 16A POWER56
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    4.6A Ta 16A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    Single
    69W
    7.7 ns
    N-Channel
    51m Ω @ 4.6A, 10V
    4V @ 250μA
    905pF @ 75V
    15nC @ 10V
    2.3ns
    -
    3.2 ns
    16A
    2.8V
    20V
    -
    -
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    74mg
    SILICON
    e3
    yes
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    MO-240AA
    4.6A
    150V
    20A
    50 mJ
    无
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