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IRFHM830TR2PBF备选型号: IRFH5255TR2PBF

IRFHM830TR2PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

表面贴装
表面贴装
8-VQFN Exposed Pad
8
21A Ta 40A Tc
Cut Tape (CT)
HEXFET®
2005
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
150°C
-55°C
2.7W
37W
12 ns
N-Channel
3.8m Ω @ 20A, 10V
2.35V @ 50μA
2155pF @ 25V
31nC @ 10V
25ns
9.2 ns
21A
1.8V
20V
30V
26 ns
1.8 V
990.6μm
3.2766mm
3.3mm
无SVHC
无
符合RoHS标准
无铅
-
-
-
-
-
IRFH5255TR2PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN

表面贴装
表面贴装
8-PowerVDFN
8
15A Ta 51A Tc
Cut Tape (CT)
HEXFET®
2013
Obsolete
1 (Unlimited)
-
150°C
-55°C
3.6W
26W
7.9 ns
N-Channel
6mOhm @ 15A, 10V
2.35V @ 25μA
988pF @ 13V
14.5nC @ 10V
10.7ns
3.8 ns
51A
1.8V
20V
25V
17 ns
1.8 V
838.2μm
5.9944mm
5mm
无SVHC
无
符合RoHS标准
-
8-PQFN (5x6)
25V
988pF
10.9mOhm
6 mΩ
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	IRFHM830DTRPBF	Infineon Technologies	晶体管 - FET，MOSFET - 单个	8-VQFN Exposed Pad	MOSFET N-CH 30V 20A PQFN	对比
	IRFH5255TR2PBF	Infineon Technologies	晶体管 - FET，MOSFET - 单个	8-PowerVDFN	MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN	对比