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首页 全部分类 IRFHM830TR2PBF vs IRFHM830DTRPBF

IRFHM830TR2PBF备选型号: IRFHM830DTRPBF

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  • 电阻
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    IRFHM830TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-VQFN Exposed Pad
    8
    21A Ta 40A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    150°C
    -55°C
    2.7W
    37W
    12 ns
    N-Channel
    3.8m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2155pF @ 25V
    31nC @ 10V
    25ns
    9.2 ns
    21A
    1.8V
    20V
    30V
    26 ns
    1.8 V
    990.6μm
    3.2766mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM830DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-VQFN Exposed Pad
    8
    20A Ta 40A Tc
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    2.8W
    9.8 ns
    N-Channel
    4.3m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    1797pF @ 25V
    27nC @ 10V
    20ns
    6.7 ns
    20A
    1.8V
    20V
    30V
    -
    1.8 V
    990.6μm
    3.2766mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    14 Weeks
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    5
    7.1MOhm
    DUAL
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    40A
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