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首页 全部分类 IRFHM8363TRPBF vs IRFH5301TRPBF

IRFHM8363TRPBF备选型号: IRFH5301TRPBF

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
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  • Infineon Technologies
    IRFHM8363TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    2.7W
    IRFHM8363PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    14 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    14.9m Ω @ 10A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1165pF @ 10V
    15nC @ 10V
    94ns
    30V
    33 ns
    11A
    1.8V
    20V
    0.0149Ohm
    30V
    116A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.8 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5301TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    35A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    110W
    -
    21 ns
    N-Channel
    -
    1.85mOhm @ 50A, 10V
    2.35V @ 100μA
    5114pF @ 15V
    77nC @ 10V
    78ns
    30V
    23 ns
    100A
    1.8V
    20V
    -
    30V
    -
    -
    -
    1.8 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    PQFN (5x6) Single Die
    1.85MOhm
    150°C
    -55°C
    ±20V
    5.114nF
    1.55mOhm
    1.85 mΩ
    850μm
    6mm
    5mm
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