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IRFS4020PBF备选型号: FDB2670
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 系列
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 无铅
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAKSurface Mount, Through Hole表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON18A Tc-55°C~175°C TJTube2007e3Discontinued1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET100WDRAIN7.8 nsN-ChannelSWITCHING105m Ω @ 11A, 10V4.9V @ 100μA1200pF @ 50V29nC @ 10V12ns±20V6.3 ns18A4.9V20V0.105Ohm200V52A200V94 mJ120 ns4.9 V4.83mm10.668mm4.826mm无SVHCROHS3 Compliant-----------
MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--19A Ta-65°C~175°C TJTape & Reel (TR)2001-Obsolete1 (Unlimited)---------Single-93W--N-Channel-130mOhm @ 10A, 10V4.5V @ 250μA1320pF @ 100V38nC @ 10V5ns±20V23 ns19A-20V-200V---------符合RoHS标准TO-263ABPowerTrench®175°C-65°C200V19A200V1.32nF130mOhm130 mΩ无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUZ30AH3045AATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| IPB17N25S3100ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |
| FDB2670 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB | 对比 |
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