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IRFS4410ZTRLPBF备选型号: STB100N10F7
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 通道数量
- 接通延迟时间
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON97A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008e3活跃1 (Unlimited)2EAR999MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030IRFS4410R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET230WDRAINN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 58A, 10V4V @ 150μA4820pF @ 50V120nC @ 10V52ns±20V57 ns97A100V242 mJROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK38 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VII--活跃1 (Unlimited)3EAR99--THROUGH-HOLE未说明未说明STB100N--Single增强型MOSFET-DRAINN-ChannelSWITCHING8m Ω @ 40A, 10V4.5V @ 250μA4369pF @ 50V61nC @ 10V40ns±20V15 ns80A100V400 mJROHS3 Compliant无铅3.949996g127 nsTO-220AB20V0.008Ohm4.6mm10.4mm9.35mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFS4410Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK | 对比 |
| STB100N10F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 对比 |
 | STH110N10F7-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 100V 110A H2PAK | 对比 |
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