IRFS4410ZTRLPBF备选型号: STH110N10F7-2
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 接通延迟时间
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON97A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008e3活跃1 (Unlimited)2EAR999MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030IRFS4410R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET230WDRAINN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 58A, 10V4V @ 150μA4820pF @ 50V120nC @ 10V52ns±20V57 ns97A100V242 mJROHS3 Compliant无铅-------
- MOSFET N CH 100V 110A H2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-110A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)DeepGATE™, STripFET™ VII--活跃1 (Unlimited)-EAR99-----STH110--Single-150W-N-Channel-6.5m Ω @ 55A, 10V4.5V @ 250μA5117pF @ 50V72nC @ 10V-±20V-110A100V-ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)25 ns20V4.8mm15.8mm10.4mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRFS4410Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK | 对比 |
![]() | STB100N10F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 对比 |
![]() | STH110N10F7-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 100V 110A H2PAK | 对比 |





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