IRG4BC20K-SPBF备选型号: SGW13N60UFDTM
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- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 电压 - 额定直流
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- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 上升时间
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 基本部件号
- 反向恢复时间
- IGBT 600V 16A 60W D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK600V2.8V-55°C~150°C TJTube2004Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C600V60W16ASingle60WStandard60W27ns2.8V16A600V2.8V @ 15V, 9A34nC32A28ns/150ns150μJ (on), 250μJ (off)无符合RoHS标准无铅--
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3-Pin(2 Tab) D2PAK Rail表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-600V2.6V-Tape & Reel (TR)-Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C600V60W6.5ASingle60WStandard--600V13A-2.6V @ 15V, 6.5A25nC52A20ns/70ns85μJ (on), 95μJ (off)-符合RoHS标准无铅SG*13N6055 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRG4BC20SD-SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 19A 60W D2PAK | 对比 |
![]() | HGT1S3N60A4DS9A | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 17A 70W D2PAK | 对比 |
![]() | SGW13N60UFDTM | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3-Pin(2 Tab) D2PAK Rail | 对比 |




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