IRG4BC20SD-SPBF备选型号: SGW23N60UFDTM
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 基本部件号
- 功率 - 最大
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- IGBT 600V 19A 60W D2PAK13 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON600V1.4V-55°C~150°C TJTube1997e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier低导通损耗600V60W鸥翼26019A30R-PSSO-G2Single60WCOLLECTORStandard电源控制32nsN-CHANNEL1.6V19A37 ns99 ns1.6V @ 15V, 10A1780 ns27nC38A62ns/690ns320μJ (on), 2.58mJ (off)20V6V无符合RoHS标准无铅------
- IGBT 600V 23A 100W D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-600V2.1V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)--Obsolete1 (Unlimited)----600V100W--12A--Single100W-Standard---600V23A42 ns-2.6V @ 15V, 12A-49nC92A17ns/60ns115μJ (on), 135μJ (off)---符合RoHS标准无铅D2PAK150°C-55°CSG*23N60100W600V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRG4BC20KDSTRLP | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 16A 60W D2PAK | 对比 |
![]() | IRG4BC10SD-SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 14A 38W D2PAK | 对比 |
![]() | SGW23N60UFDTM | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 23A 100W D2PAK | 对比 |




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