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首页 全部分类 IRG4PSC71UDPBF vs FGH40N60SMDF

IRG4PSC71UDPBF备选型号: FGH40N60SMDF

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  • IGBT类型
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • Infineon Technologies
    IRG4PSC71UDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 85A 350W SUPER247
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-274AA
    3
    SILICON
    600V
    1.95V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    低导通损耗
    600V
    350W
    85A
    Single
    350W
    COLLECTOR
    Standard
    90 ns
    电源控制
    94ns
    N-CHANNEL
    600V
    85A
    82 ns
    179 ns
    2V @ 15V, 60A
    150°C
    85A
    503 ns
    340nC
    200A
    90ns/245ns
    3.26mJ (on), 2.27mJ (off)
    24.8mm
    16.1mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH40N60SMDF
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMDF IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    349W
    -
    Single
    349W
    COLLECTOR
    Standard
    12 ns
    电源控制
    -
    N-CHANNEL
    600V
    80A
    90ns
    37 ns
    2.5V @ 15V, 40A
    -
    -
    132 ns
    119nC
    120A
    12ns/92ns
    1.3mJ (on), 260μJ (off)
    20.6mm
    15.6mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    6.39g
    e3
    yes
    EAR99
    8541.29.00.95
    FGH40N60
    28ns
    TO-247AB
    场站
    20V
    6V
    17ns
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