Infineon Technologies IRG4PSC71UDPBF
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IRG4PSC71UDPBF
1211-IRG4PSC71UDPBF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-274AA
大陆
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IGBT 600V 85A 350W SUPER247
--最小包装量--
IRG4PSC71UDPBF详情
Infineon Technologies IRG4PSC71UDPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-274AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95V
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 60A, 5 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
245 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1999
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
通孔
附加功能
低导通损耗
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
350W
额定电流
85A
元素配置
Single
功率耗散
350W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
接通延迟时间
90 ns
晶体管应用
电源控制
上升时间
94ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
85A
反向恢复时间
82 ns
接通时间
179 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 60A
最大结点温度(Tj)
150°C
连续集电极电流
85A
关断时间-标准值(toff)
503 ns
闸门收费
340nC
集极脉冲电流(Icm)
200A
Td(开/关)@25°C
90ns/245ns
开关能量
3.26mJ (on), 2.27mJ (off)
高度
24.8mm
长度
16.1mm
宽度
5.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRG4PSC71UDPBF拓展信息
Infineon Technologies
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