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首页 全部分类 IRL7486MTRPBF vs AUIRL7736M2TR

IRL7486MTRPBF备选型号: AUIRL7736M2TR

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  • 已出版
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 配置
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRL7486MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 209A
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric ME
    2
    SILICON
    209A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    BOTTOM
    无铅
    未说明
    未说明
    R-XBCC-N6
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.25m Ω @ 123A, 10V
    2.5V @ 150μA
    6904pF @ 25V
    111nC @ 4.5V
    40V
    ±20V
    209A
    1.8V
    20V
    836A
    40V
    190 mJ
    700μm
    6.35mm
    5.05mm
    Unknown
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRL7736M2TR
    Infineon Technologies
    MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 3mOhms
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric M4
    9
    SILICON
    179A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    -
    BOTTOM
    -
    -
    -
    R-XBCC-N5
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    48 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 67A, 10V
    2.5V @ 150μA
    5055pF @ 25V
    78nC @ 4.5V
    -
    ±16V
    179A
    1.8V
    16V
    450A
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    63W
    210ns
    76 ns
    22A
    0.003Ohm
    40V
    无
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