IRL7486MTRPBF备选型号: NTMFS5H409NLT1G
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 配置
- 漏极-源极导通最大电阻
- MOSFET N-CH 40V 209A12 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric ME2SILICON209A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™2013活跃1 (Unlimited)6EAR99BOTTOM无铅未说明未说明R-XBCC-N6Single增强型MOSFETDRAIN35 nsN-ChannelSWITCHING1.25m Ω @ 123A, 10V2.5V @ 150μA6904pF @ 25V111nC @ 4.5V40V±20V209A1.8V20V836A40V190 mJ700μm6.35mm5.05mmUnknownROHS3 Compliant无铅-------
- MOSFET N-CH 40V 41A DFN516 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN, 5 Leads8SILICON41A Ta 270A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2011活跃1 (Unlimited)5-DUALFLAT--R-PDSO-F5-增强型MOSFETDRAIN-N-Channel-1.1m Ω @ 50A, 10V2V @ 250μA5700pF @ 20V89nC @ 10V40V±20V270A2V-900A40V304 mJ---无SVHCROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)e3yesTin (Sn)not_compliantSINGLE WITH BUILT-IN DIODE0.0016Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS5H409NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET N-CH 40V 41A DFN5 | 对比 | |
![]() | IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 231W; D2PAK-7 | 对比 |
![]() | AUIRL7736M2TR | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric M4 | MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 3mOhms | 对比 |





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