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首页 全部分类 IRL7486MTRPBF vs IRFS7437TRL7PP

IRL7486MTRPBF备选型号: IRFS7437TRL7PP

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  • 元素配置
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 配置
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    IRL7486MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 209A
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric ME
    2
    SILICON
    209A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    BOTTOM
    无铅
    未说明
    未说明
    R-XBCC-N6
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.25m Ω @ 123A, 10V
    2.5V @ 150μA
    6904pF @ 25V
    111nC @ 4.5V
    40V
    ±20V
    209A
    1.8V
    20V
    836A
    40V
    190 mJ
    700μm
    6.35mm
    5.05mm
    Unknown
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFS7437TRL7PP
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 231W; D2PAK-7
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
    7
    -
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    18 ns
    N-Channel
    -
    1.4m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 150μA
    7437pF @ 25V
    225nC @ 10V
    -
    ±20V
    195A
    2.2V
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1.4MOhm
    Single
    231W
    62ns
    51 ns
    40V
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