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首页 全部分类 IRLHS6242TRPBF vs DMN2015UFDE-7

IRLHS6242TRPBF备选型号: DMN2015UFDE-7

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 场效应管类型
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  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    IRLHS6242TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
    12 Weeks
    6-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    6
    SILICON
    1.1V @ 10μA
    19 ns
    2011
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    Single
    增强型MOSFET
    9.6W
    DRAIN
    5.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11.7m Ω @ 8.5A, 4.5V
    1110pF @ 10V
    14nC @ 4.5V
    15ns
    ±12V
    13 ns
    10A
    800mV
    12V
    20V
    88A
    800 mV
    2.1mm
    2.1mm
    950μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2015UFDE-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
    6 Weeks
    6-PowerUDFN
    表面贴装
    表面贴装
    6
    SILICON
    1.1V @ 250μA
    10.5A Ta
    2013
    -
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    DUAL
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    7.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11.6m Ω @ 8.5A, 4.5V
    1779pF @ 10V
    45.6nC @ 10V
    16.8ns
    ±12V
    10.9 ns
    10.5A
    -
    12V
    20V
    -
    -
    2.05mm
    2.05mm
    580μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    e4
    yes
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    260
    40
    R-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    9.4A
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