IRLHS6242TRPBF备选型号: DMN2028USS-13
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 通道数量
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- MOSFET N-CH 20V 10A PQFN12 Weeks表面贴装表面贴装6-PowerVDFN6SILICON10A Ta 12A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2011活跃1 (Unlimited)6EAR99DUALSingle增强型MOSFET9.6WDRAIN5.8 nsN-ChannelSWITCHING11.7m Ω @ 8.5A, 4.5V1.1V @ 10μA1110pF @ 10V14nC @ 4.5V15ns±12V13 ns10A800mV12V20V88A800 mV950μm2.1mm2.1mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------
- 20V N-Channel Enhancement MOSFET SOIC816 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON7.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2017活跃1 (Unlimited)8EAR99DUALSingle增强型MOSFET1.56W-11.67 nsN-ChannelSWITCHING20m Ω @ 9.4A, 4.5V1.3V @ 250μA1000pF @ 10V11.6nC @ 4.5V12.49ns±8V12.33 ns9.8A1V12V20V--1.5mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant-73.992255mge3yesMatte Tin (Sn)ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY鸥翼26040815.6A0.02Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN2014LHAB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-UFDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN | 对比 |
![]() | DMN2028USS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 20V N-Channel Enhancement MOSFET SOIC8 | 对比 |
![]() | DMN2015UFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-PowerUDFN | MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN | 对比 |






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