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首页 全部分类 IRLHS6242TRPBF vs IRLHS2242TRPBF

IRLHS6242TRPBF备选型号: IRLHS2242TRPBF

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  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
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  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Infineon Technologies
    IRLHS6242TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
    12 Weeks
    6-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    6
    SILICON
    1.1V @ 10μA
    19 ns
    2011
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    Single
    增强型MOSFET
    9.6W
    DRAIN
    5.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11.7m Ω @ 8.5A, 4.5V
    1110pF @ 10V
    14nC @ 4.5V
    15ns
    ±12V
    13 ns
    10A
    800mV
    12V
    20V
    88A
    800 mV
    2.1mm
    2.1mm
    950μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLHS2242TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN
    12 Weeks
    6-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    6
    SILICON
    1.1V @ 10μA
    7.2A Ta 15A Tc
    2004
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    -
    增强型MOSFET
    9.6W
    -
    7.9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    31m Ω @ 8.5A, 4.5V
    877pF @ 10V
    12nC @ 10V
    54ns
    ±12V
    66 ns
    7.2A
    -800mV
    12V
    -20V
    34A
    -800 mV
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    e3
    31MOhm
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    20V
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