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首页 全部分类 IRLMS1902TRPBF vs FDC6401N

IRLMS1902TRPBF备选型号: FDC6401N

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  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • Infineon Technologies
    IRLMS1902TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    3
    SILICON
    3.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    10Ohm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    20V
    DUAL
    鸥翼
    3.2A
    R-PDSO-G6
    Single
    增强型MOSFET
    1.7W
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 2.2A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    300pF @ 15V
    7nC @ 4.5V
    11ns
    ±12V
    4 ns
    3.2A
    700mV
    12V
    20V
    700 mV
    1.143mm
    2.9972mm
    1.75mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC6401N
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin SuperSOT T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    70MOhm
    -
    -
    20V
    -
    鸥翼
    3A
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    960mW
    5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    70m Ω @ 3A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    324pF @ 10V
    4.6nC @ 4.5V
    7ns
    -
    1.6 ns
    3A
    900mV
    12V
    20V
    900 mV
    1.1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    36mg
    yes
    SMD/SMT
    EAR99
    960mW
    2
    700mW
    3A
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    Standard
  • 添加型号
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