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IXBF20N360备选型号: IXBF50N360

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功率 - 最大
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不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
闸门收费
集极脉冲电流（Icm）
Td（开/关）@25°C
开关能量
RoHS状态

IXBF20N360

IXYS

IGBT Transistors 3600V/45A Reverse Conducting IGBT

28 Weeks
通孔
通孔
i4-Pac™-5
3.6kV
-55°C~150°C TJ
Tube
BIMOSFET™
2013
活跃
1 (Unlimited)
230W
unknown
Standard
230W
3.4V
45A
1.7 μs
3600V
3.4V @ 15V, 20A
43nC
220A
18ns/238ns
15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
ROHS3 Compliant
IXBF50N360

IXYS

IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK

10 Weeks
通孔
通孔
i4-Pac™-5 (3 Leads)
3.6kV
-55°C~150°C TJ
Tube
BIMOSFET™
2014
不用于新设计
1 (Unlimited)
290W
unknown
Standard
290W
2.9V
70A
1.7 μs
3600V
2.9V @ 15V, 50A
210nC
420A
46ns/205ns
-
ROHS3 Compliant
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