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首页 全部分类 IXBR42N170 vs IRG4PH50SPBF

IXBR42N170备选型号: IRG4PH50SPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
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  • 终端
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 最大结点温度（Tj）
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  • 开关能量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXBR42N170
    IXYS
    IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    SILICON
    1.7kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    UL 认证
    200W
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    IXB*42N170
    247
    R-PSIP-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    ISOLATED
    Standard
    200W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.9V
    57A
    1.32 μs
    1700V
    224 ns
    2.9V @ 15V, 42A
    1070 ns
    188nC
    300A
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4PH50SPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    -
    2004
    -
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    200W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    57A
    -
    1200V
    62 ns
    1.7V @ 15V, 33A
    2170 ns
    167nC
    114A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    38.000013g
    1.75V
    通孔
    EAR99
    1.2kV
    57A
    Single
    200W
    32 ns
    29ns
    57A
    TO-247AC
    30V
    3.6nF
    150°C
    57A
    32ns/845ns
    1.8mJ (on), 19.6mJ (off)
    24.99mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    无铅
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