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首页 全部分类 IXBX50N360HV vs IRGP4063DPBF

IXBX50N360HV备选型号: IRGP4063DPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXBX50N360HV
    IXYS
    IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3.6kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    660W
    unknown
    Standard
    660W
    2.9V
    125A
    1.7 μs
    3600V
    2.9V @ 15V, 50A
    210nC
    420A
    46ns/205ns
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGP4063DPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 96A 330W TO247AC
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    330W
    -
    Standard
    -
    2.14V
    96A
    115 ns
    -
    2.14V @ 15V, 48A
    95nC
    144A
    60ns/145ns
    ROHS3 Compliant
    3
    38.000013g
    SILICON
    2.14V
    3
    EAR99
    300V
    96A
    IRGP4063D
    Single
    330W
    COLLECTOR
    60 ns
    电源控制
    56ns
    300V
    N-CHANNEL
    96A
    TO-247AC
    100 ns
    210 ns
    Trench
    625μJ (on), 1.28mJ (off)
    20V
    6.5V
    46ns
    20.3mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    无铅
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