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首页 全部分类 IXBX50N360HV vs IXGX55N120A3H1

IXBX50N360HV备选型号: IXGX55N120A3H1

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  • 引脚数量
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  • 配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • IGBT类型
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • IXYS
    IXBX50N360HV
    IXYS
    IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3.6kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    660W
    unknown
    Standard
    660W
    2.9V
    125A
    1.7 μs
    3600V
    2.9V @ 15V, 50A
    210nC
    420A
    46ns/205ns
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXGX55N120A3H1
    IXYS
    IXYS IXGX55N120A3H1 IGBT 1200V
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    1.2kV
    -
    Tube
    GenX3™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    460W
    -
    Standard
    460W
    2.3V
    125A
    200 ns
    1200V
    2.3V @ 15V, 55A
    185nC
    400A
    23ns/365ns
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    e1
    yes
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    COLLECTOR
    电源控制
    N-CHANNEL
    70 ns
    1253 ns
    PT
    5.1mJ (on), 13.3mJ (off)
    20V
    5V
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